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NAND MCP

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         多芯片封装(MCP)产物
          基于差别存储手艺工艺在统一基板上的设想同一,革命性的晶片堆叠手艺可以或许优化电路板的设想空间
          芯世界手艺把差别存储手艺产物,包孕SLC NAND Flash和mobile DRAM如低功耗DDR1或DDR2设想在一个基板上。

         这类天真的设想体式格局可以或许带来许多上风:
   1
经由过程把两个存储模块堆叠在一个下集成度的封装内从而竖立的最短最稳定的衔接,可以或许提拔存储机能和全部体系的机能;

   2经由过程多个存储芯片垂直堆叠设置,可以或许削减您的终端产品 PCB板设想面积的30%-40%;

   3削减BOM表上的采购元件从而简化采购消费和勤俭本钱;

  4经由过程运用下集成度的MCP芯片能够减速产物开辟进度而推动终究产物上市工夫。

         芯世界手艺的MCP产品线具有雄厚的存储设置组合,重要是基于2-die和3-die的堆叠封装。个中最支流的组合为1Gb+512Mb;2Gb+1Gb;4Gb+2Gb; 4Gb+4Gb (NAND和低功耗DRAM)。


        不管您是想要低落功耗,留出更多的PCB板的空间,照样加速产物速度,芯世界手艺的MCP产物可以或许知足您对差别运用的设想需求。我们高效,下机能的的MCP将成为您的挪动产品设计中不可或缺的设想元素

 

电压 容量 封装 包装 型号 形貌 最小起订量
1.7~1.9V 1G1GD2 BGA 162 ball T&R PN611G8C2TA-B80ET 1G NAND (Int. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 3000
PN611G8C2TA-B80IT 1G NAND (Int. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 3000
PN611G8C2TA-B8BET 1G NAND (8bit. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 3000
PN611G8C2TA-B8BIT 1G NAND (8bit. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 3000
XT61M1G8C2TA-B8BET 1G NAND (8bit. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 3000
Tray PN611G8C2TA-B80E0 1G NAND (Int. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 2420
PN611G8C2TA-B80I0 1G NAND (Int. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 2420
PN611G8C2TA-B8BE0 1G NAND (8bit. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 2420
PN611G8C2TA-B8BI0 1G NAND (8bit. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 2420
XT61M1G8C2TA-B8BEA 1G NAND (8bit. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 2420
1G256 BGA 130 Ball Tray XT60M1G6A6TW-A50EA 1G NAND (Int. ECC;x16)+256 LP DDR1 (x16) 2420
1G512D1 BGA 130 Ball Tray PN601G6B6TN-A50E0 1G NAND (Int. ECC;x16)+512 LP DDR1(x16) 2520
PN601G6B6TN-A50I0 1G NAND (Int. ECC;x16)+512 LP DDR1 (x16) 2520
1G512D2 BGA 162 ball T&R XT61M1G8B2TA-B8BET 1G NAND (8bit. ECC;x8)+512 LP DDR2 (x32) 3000
XT61M1G8B2TA-B8BIT 1G NAND (8bit. ECC;x8)+512 LP DDR2 (x32) 3000
Tray XT61M1G8B2TA-B8BEA 1G NAND (8bit. ECC;x8)+512 LP DDR2 (x32) 2420
XT61M1G8B2TA-B8BIA 1G NAND (8bit. ECC;x8)+512 LP DDR2 (x32) 2420
2G1GD1 BGA 130 Ball Tray PN602G8C2TN-A5BE0 2G NAND (8bit ECC;x8)+1G LP DDR1 (x16) 2520
PN602G8C2TN-A5BI0 2G NAND (8bit ECC;x8)+1G LP DDR1 (x16) 2520
XT60M2G8C6TN-A50EA 2G NAND (Int. ECC;x8) +1G LP DDR1 (x16) 2420
XT60M2G8C6TN-A50IA 2G NAND (Int. ECC;x8)+1G LP DDR1 (x16) 2420
2G1GD2 BGA 162 ball T&R PN612G8C2TA-B8BET 2G NAND (8bit ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 3000
PN612G8C2TA-B8BIT 2G NAND (8bit ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 3000
XT61M2G8C2TA-B8BET 2G NAND (8bit ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 3000
Tray PN612G8C2TA-B8BE0 2G NAND (8bit ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 2420
PN612G8C2TA-B8BI0 2G NAND (8bit ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 2420
XT61M2G8C2TA-B8BEA 2G NAND (8bit ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) 2420
2G2GD2 BGA 162 ball T&R XT61M2G8D2TA-B8BET 2G NAND (8bit ECC;x8) +2G LP DDR2 (x32) 3000
XT61M2G8D2TA-B8BIT 2G NAND (8bit ECC;x8) +2G LP DDR2 (x32) 3000
Tray XT61M2G8D2TA-B8BEA 2G NAND (8bit ECC;x8) +2G LP DDR2 (x32) 2420
XT61M2G8D2TA-B8BIA 2G NAND (8bit ECC;x8) +2G LP DDR2 (x32) 2420
4G2GD2 BGA 162 ball T&R XT61M4G6D2TA-B8BET 4G NAND (8bit ECC;x16) +2G LP DDR2 (x32) 3000
XT61M4G8D2TA-B8BET 4G NAND (8bit ECC;x8) + 2G LP DDR2 (x32) 3000
XT61M4G8D2TA-B8BIT 4G NAND (8bit ECC;x8)+2G LP DDR2 (x32) 3000
XT61M4G8D2TS-B8BET 4G NAND (8bit ECC;x8)+2G LP DDR2 (x32) 3000
Tray PN614G8D2TE-B8BE01 4G NAND (8bit ECC;x8) +2G LP DDR2 (x32) 2420
XT61M4G8D2TA-B8BEA 4G NAND (8bit ECC;x8) + 2G LP DDR2 (x32) 2420
XT61M4G8D2TA-B8BIA 4G NAND (8bit ECC;x8)+2G LP DDR2 (x32) 2420
XT61M4G8D2TS-B8BEA 4G NAND (8bit ECC;x8)+2G LP DDR2 (x32) 2420



 

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